FGH60N60SMD IGBT, 600V, 60A, TO-247, FAIR/ ON Semiconductor

Транзистор FGH60N60SMD IGBT, 600V, 60A, TO-247, ON Semiconductor
 

Транзистор IGBT или биполярный транзистор с изолированным затвором 600 В, 60 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247.
                   

Применение IGBT транзисторов:

в инверторах, частотно-регулируемых приводах, в импульсных регуляторах тока, в системах управления мощными электроприводами, в источниках бесперебойного питания, в сетях с высоким напряжением, в составе электронных схем стиральных, швейных и посудомоечных машин, инверторных кондиционеров, насосов, системах электронного зажигания автомобилей, системах электропитания серверного и телекоммуникационного оборудования.
 

Технические характеристики
 

Наименование: FGH60N60SMD

Корпус: PG-TO-247-3

Технология/семейство: field stop

Наличие встроенного диода: да

Максимальное напряжение КЭ: 600 В

Напряжение насыщения при номинальном токе: 2.5 В

Постоянный ток коллектора: 60 А

Максимальный ток КЭ при 25°C: 120 А

Импульсный ток коллектора: 180 А

Максимальная рассеиваемая мощность: 600 Вт

Время задержки включения/выключения: 18/104 нс

Диапазон рабочих температур: от - 55 до + 175°C
 

Производитель: ON Semiconductor

Вес: 5 гр

Размеры: 36х15х5 (мм)