IHW20N135R5XKSA1, IGBT,1350 В, 40 А, 288 Вт (H20PR5)

IHW20N135R5XKSA1, IGBT,1350 В, 40 А, 288 Вт (H20PR5)
 

Транзистор IGBT или биполярный транзистор с изолированным затвором 1350 В, 40 А, 288 Вт в корпусе ТО-247-3.

Транзистор IGBT дискретный, обратнопроводящий, с антипараллельным монолитным корпусным диодом.

Благодаря монолитно интегрированному диоду IGBT RC-H5 напряжением 1350 В данный транзистор подходит для применения в системах с плавного переключения, таких как индукционные кухонные плиты и инверторные микроволновые печи, но также подходят для конструкций, требующих некоторых возможностей жесткого переключения.

Технические характеристики

Наименование: IHW20N135R5

Маркировка: H20PR5

Корпус: PG-TO-247-3

Технология/семейство: TrenchStop

Наличие встроенного диода: да

Максимальное напряжение КЭ: 1350 В

Постоянный ток коллектора: 40 А

Импульсный ток коллектора: 60 А

Рассеиваемая мощность при 25°C / 100°C: 288 Вт / 144 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ± 20 В

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Переключаемая энергия: 950 µJ (off)

Температура пайки, на расстоянии 1,6 мм (0,063 дюйма) от корпуса в течение 10 секунд: 260°C

Диапазон рабочих температур (Tj): от - 40 до + 175°C
 

Производитель: Infineon

Вес: 6 гр

Размеры: 41х15х5 (мм)