Транзистор FGA60N65SMD IGBT, 650V, 120A, 600W, TO-3PN, ONS

FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Высокомощный биполярный транзистор новой серии IGBT-преобразователей Fairchild 2-го поколения, использующих инновационную технологию field stop IGBT.

Обеспечивает оптимальную производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, телекоммуникационных систем, систем ESS и PFC, где необходимы низкие потери на проводимость и коммутацию.

Технические характеристики

Тип IGBT: field stop

Тип канала: N

Число контактов: 3

Корпус: TO-3PN

Конфигурация: одиночный

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В

Максимальный непрерывный ток коллектора: 120 А

Импульсный ток коллектора макс.: 180 А

Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт

Переключаемая энергия: 1.54 мДж

Тип монтажа: монтаж на плату в отверстия

Диапазон рабочих температур: от - 55 до + 175°C

Размеры: 15.8 x 5 x 20.1мм

Вес: 6.5 г