Режим работы (Минеральные Воды): ПН-ПТ 09:00 - 18:00 СБ 9:00 - 16:00, ВС - выходной

Режим работы (Иноземцево):
ПН-ПТ 09:00 - 17:00
СБ, ВС - выходной

Минеральные Воды 8 (87922) 6-36-50 | 8 (87922) 5-88-20 +7 (928) 359-25-53(Max) Иноземцево 8 (87922) 5-88-20 | +7 (928) 348-34-73 (Max) ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН: +7 (928) 348-34-73 (Max)

0 шт. - 0,00 руб

Итого: 0,00 руб

0

Транзистор IRF6727MTRPBF, (N-MOSFET 30В 32A) Infineon Technologies

Артикул: ФР-00012424

Наличие: Есть в наличии - 33 шт.

СкладНаличие
Иноземцево 9 шт.
Мин-Воды 24 шт.
добавить в избранное
Ваша цена: 250,00 руб

Подробности

Транзистор IRF6727MTRPBF 30В 32A, 1 шт.

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET

Оригинальный транзистоp (ключ) для ремонта ЭУР (электрического усилителя руля) в автомобиле LADA (ВАЗ) Granta, Lada Kalina,Lada Priora, Datsun и других.

Основные характеристики

IRF6727TRPBF транзистор обеспечивает баланс между низким сопротивлением и низким уровнем заряда, а также сверхнизкой индуктивностью, что снижает как проводимость, так и потери при переключении.

Уменьшенные общие потери делают его подходящим для использования в высокоэффективных преобразователях постоянного тока, которые питают процессоры последнего поколения, работающие на более высоких частотах.

IRF6727MPBF был оптимизирован для параметров, которые имеют решающее значение для синхронного понижающего преобразователя, работающего от 12-вольтовых шин, включая Rds и заряд затвора, чтобы минимизировать потери.

IRF6727TRPBF сочетает в себе новейшую кремниевую технологию HEXFET® Power MOSFET с усовершенствованной конструкцией DirectFETTM для достижения минимального сопротивления в рабочем состоянии в корпусе размером MICRO-8 и профилем всего 0,7 мм.

Модуль DirectFET обеспечивает двустороннее охлаждение для максимальной теплопередачи в энергосистемах, улучшая тепловое сопротивление на 80%.

Особенности

  • Соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов
  • Низкий профиль (< 0,7 мм)
  • Совместим с двухсторонним охлаждением
  • Сверхнизкая индуктивность корпуса
  • Оптимизирован для высокочастотной коммутации
  • Оптимизирован как для SyncFET, так и для некоторых систем управления полевыми транзисторами
  • Низкие потери на проводимость и переключение
  • Совместимость с существующими технологиями поверхностного монтажа

Технические характеристики

Корпус: DIRECTFET[тм] MX

Тип транзистора: N-канал

Особенности: Logic Level Gate

Напряжение исток-сток макс.: 30 В

Ток стока макс.: 32 A

Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм

Мощность макс.: 2.8 Вт

Пороговое напряжение включения макс.: 2.35 В

Заряд затвора: 74 нКл

Входная емкость: 6190 пФ

Тип монтажа: Surface Mount

Диапазон рабочих температур: от - 40 до + 150°C

Размеры транзистора - 6.5х5х0.5 мм

Производитель: Infineon Technologies

Комментарии (0)

Пока нет комментариев

Написать комментарий