Режим работы: ПН-ПТ 09:00 - 18:00 СБ 9:00 - 16:00, ВС - выходной

0 шт. - 0,00 руб

Итого: 0,00 руб

0

Транзисторы

Сетка  Список 

Сетка  Список 

Транзисторы – это радиоэлектронные компоненты, созданные из полупроводниковых материалов. Они обладают усилительными свойствами и имеют 3 типа выводов, кроме электрода от корпуса, используемого в качестве экрана (для некоторых типов транзисторов).

Как работают транзисторы

Транзисторы работают в ключевых или усилительных каскадах, имеющих входную и выходную электрические цепи. Так, как элементарный транзистор имеет 3 электрода, то в таких цепях 1 из них обязательно является общим. Существует такие типы включения транзисторов со свойствами включения:

  • С общим эмиттером (ОЭ) или истоком (ОИ) — усиливается напряжение и ток;
  • С общим коллектором (ОК) или стоком (ОС) — усиление в цепи эмиттера или истока осуществляется только по току, поэтому такую схему называют эмиттерным или истоковым повторителем;
  • С общей базой (ОБ) или затвором (ОЗ) – усиливается только входное напряжение, вход имеет низкое сопротивление. Применяется данный тип включения, в основном, для усиления или согласования высокочастотных сигналов.

Для надёжной и безотказной работы транзистора следует обеспечить для цепей его выводов оптимальный режим. Каждая марка транзистора имеет определённую структуру и диапазоны параметров, определяющие его усилительные свойства. Есть параметры, ограничивающие режим работы полупроводникового прибора, во избежание его повреждения или разрушения, это предельные значения:

  • Напряжения;
  • Тока;
  • Мощности;
  • Температуры.

Усилительные свойства транзистора индивидуальны для каждого экземпляра, диапазон их значений для каждой модели транзистора указывается в характеристиках. Транзисторы, коэффициенты усиления которых максимально идентичны называются комплементарными.

История применения

Изначально перспективный планарный транзистор был создан в 1959 году, до этого использовали точечный вариант полупроводникового прибора, дальнейшее совершенствование которого было тупиковым. Планарная технология легла в основу создания интегральных монолитных микросхем, транзисторных сборок и составных транзисторов. Широкое использование первых разработок останавливали их низкие параметры и сложность получить требуемые характеристики.

С развитием технологий изготовления и легирования полупроводниковых слоёв удалось создать и выпускать в серийное производство транзисторы с высокими параметрами. Эта тенденция практически вытеснила электровакуумные приборы от использования их в электронной промышленности. Современные транзисторы способны решить практически любую задачу по аналоговой или цифровой обработке сигналов. Также они составляют основу систем автоматики и электронной техники.

Классификация

Транзисторы бывают 2-х типов полярности:

  • Прямой, в которой коллектор или сток подключают к положительному полюсу питающей цепи, а эмиттер (исток) к отрицательному. Это n-p-n-структура (для биполярных транзисторов) или с управляющим p-n-переходом либо с каналом n-типа (для полевых транзисторов);
  • Обратной, в которой полюса меняются местами. Это p-n-p-структура либо с управляющим n-p-переходом, с p-каналом.

Классифицируются транзисторы по мощности:

  • малой;
  • средней;
  • большой.

Также по частоте:

  • низкочастотные;
  • среднечастотное;
  • высокочастотные;
  • сверхвысокочастотные (специализированные).

Основная классификация транзисторов осуществляется по их структуре. В свою очередь, в каждый класс может иметь деление по типу используемых материалов, используемых для изготовления областей полупроводников и химических элементов для их легирования.

Биполярные

Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n  транзистора.

Рисунок 1. Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.

В биполярных (bis – дважды, греч. polos – полюс) транзисторах ток протекает от эмиттера через базу к коллектору или наоборот, в зависимости от полярности. Поэтому они бывают структуры n-p-n или p-n-p, исходя из чего видно, что выходная их цепь образована 2-я n-p- или p-n-переходами. Это определяет частотно-усилительные свойства транзисторов такого типа.

Ток основной (питающей) цепи транзистора проходит через базу, проводимость которой образована неосновными носителями заряда. При подаче управляющего напряжения на неё, относительно эмиттера, изменяются условия инжекции носителей заряда и основной ток резко возрастает. Так усиливают биполярные транзисторы.

Однопереходные

Схема однопереходного транзистора

Рисунок 2. Схема однопереходного транзистора.

Процесс усиления однопереходного полупроводникового прибора базируется на изменении проводимости базы при инжекции. Ток основной цепи транзистора проходит через область полупроводника база1 – база2. При подаче напряжения на эмиттер, относительно базы2 транзистор отпирается, сопротивление его становится малым и даже отрицательным. Это означает, что даже при уменьшении напряжения ток возрастает.

Многоэмиттерные

Структура и вид сверху многоэмиттерного транзистора

Рисунок 3. Структура и вид сверху многоэмиттерного транзистора.

Специализированные многоэмиттерные транзисторы применяются в логических элементах в составе интегральных микросхем. Такая структура позволяет выполнять логические операции в 1 транзисторе, что в значительной степени снижает время задержки.

Сверхвысокочастотные

СВЧ-транзисторы рассчитаны на эксплуатацию их в диапазоне от 0.3 до 100 ГГц, применяются в каналах радиосвязи, wi-fi и др. Они могут быть построены на базе полевых или биполярных структур с изменённым типом материалов полупроводников и технологий их производства.

Полевые транзисторы

Схема полевого транзистора

Рисунок 4. Схема полевого транзистора.

Основной ток полевого (униполярного или управляемого полем) транзистора образован одним n-p- или p-n-переходом — от истока до стока или наоборот. Управляется он током затвора (p-n- или n-p-перехода) или напряжением на нём (для полевых транзисторов с изолированным затвором). Такого типа структура позволяет увеличить (по сравнению с биполярными аналогами) входное сопротивление. Однако ёмкость одного перехода выше, чем 2 последовательно соединённых (у биполярных), — это увеличивает потребление при повышении частоты. Улучшение определённых свойств транзисторов осуществляется применением качественных материалов, также использованием инновационных технологий изготовления.

Mosfet

Типичная внутренняя структура МОП-транзистора

Рисунок 5. Типичная внутренняя структура МОП-транзистора.

Mosfet — это модернизированный тип полупроводникового прибора на основе полевого транзистора с изолированным затвором. В качестве материала изолятора используется окись кремния (SiO2), чем удалось достигнуть управления высокими токами нагрузки в одном приборе. Применяются, в основном, в ключевых каскадах.

IGBT

Условное графическое обозначение БТИЗ

Рисунок 6. Условное графическое обозначение БТИЗ.

Транзистор IGBT (название переводится как биполярный с изолированным затвором) по сути является составным полупроводниковым прибором. В силовой цепи используется биполярная структура, в управляющей — полевой тип. Эффективно используется в качестве электронного силового ключа, например, в инверторах.

Фототранзисторы

Схематическое изображение фототранзистора на электрических  схемах

Рисунок 7. Схематическое изображение фототранзистора на электрических схемах.

Фототранзистором является оптоэлектронный полупроводниковый прибор с отсутствующим электродом базы. Вместо него имеется прозрачное окно, для управления током основной цепи коллектор/эмиттер. Устройства используются в приборах автоматики, управляемых освещением или в системах негальванической обратной связи.

Цена транзисторов

Наша компания работает по полной предоплате. Стоимость каждой марки изделия представлена в каталоге. Товар, помещённый в корзину, с указанием количества экземпляров сохраняется до оформления покупки.

Условия покупки и доставки

При покупке товара через почту России в оплату входят услуги пересылки и формировки заказа. В случае использования услуг транспортной компании СДЭК, они оплачиваются отдельно, при получении изделий. В магазине радиодеталей Городок в г. Минеральные Воды товар можно забрать самовывозом.